2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、傳統(tǒng)的微電子機械系統(tǒng)(Micro-electromechanical Systems,即MEMS)加工流程中所包含光刻過程一般是通過光刻掩膜版來實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)換。傳統(tǒng)的MEMS加工流程必然存在光刻掩膜版的制備過程,該過程設(shè)備要求高、耗時長。超短激光脈沖具有很高的峰值功率,這一特性使其適用于切割、表面修復(fù)等微加工。論文闡述了采用超短激光脈沖直寫掩膜的方式來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)換,代替原有的光刻掩膜版模式。首先利用物理或化學(xué)方法在待加工硅片表面覆蓋一層

2、掩膜,接著利用高功率激光束刻寫硅片表面掩膜層,被刻蝕部分會被直接去除,形成圖形。這有別于傳統(tǒng)光刻膠在光刻時被改性的過程。其后的顯影過程只需清洗激光直寫時噴射出的殘留物。后期的化學(xué)刻蝕則與傳統(tǒng)MEMS加工是完全類似的,掩膜層對其下的硅片起到保護(hù)作用。激光直寫加工方式可使得MEMS加工流程減少,周期縮短,加工成本降低。因此,為區(qū)別于傳統(tǒng)MEMS加工工藝,論文中把這種工藝簡稱為MEMS短流程加工工藝。
   本論文對該工藝的優(yōu)化和可行

3、性進(jìn)行了理論上的探討,對工藝關(guān)鍵技術(shù)做了實驗研究。在短脈沖激光領(lǐng)域里,飛秒激光比納秒、皮秒激光的脈沖寬度更短,具備更高的峰值加工功率。理論分析和實驗結(jié)果均表明飛秒激光具備熱效應(yīng)小、可加工多種材料、閾值效應(yīng)精確存在等特性,相對而言更適于MEMS短流程加工工藝中激光直寫工作。選用重復(fù)頻率1、脈沖寬度50、中心波長800 飛秒激光在覆蓋有氮化硅膜層的硅片上進(jìn)行刻寫,使用氫氧化鉀進(jìn)行化學(xué)刻蝕,利用氫氟酸去除掩膜層。
   實驗結(jié)果表明,

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