結(jié)合實際工藝的內(nèi)透明集電極IGBT的仿真研究.pdf

1、本文主要針對北京工業(yè)大學功率半導體器件研究室提出的內(nèi)透明集電極IGBT首次結(jié)合實際工藝進行了較全面的仿真研究,并對仿真結(jié)果反映出來的相關(guān)器件性能和物理現(xiàn)象進行了較深入的分析。內(nèi)透明集電極IGBT(ITC-IGBT)的結(jié)構(gòu)特點是在傳統(tǒng)的PT-IGBT的基礎(chǔ)上,在集電結(jié)下幾微米的位置設(shè)置一個高復合層,用以模仿透明集電極,使得器件在關(guān)斷時實現(xiàn)對電子的“內(nèi)透明”效果。在性能方面,ITC-IGBT具有低通態(tài)壓降,高開關(guān)速度的特點,接近現(xiàn)有的FS-

2、IGBT產(chǎn)品性能：同時具有良好的電壓正溫度系數(shù),開關(guān)時間隨溫度、陽極電流、柵極電阻變化不大。工藝上ITC-IGBT采用傳統(tǒng)的IGBT工藝,避免了薄片加工的技術(shù)難題,也不采用離子輻照,具有加工工藝簡單的工藝和成本優(yōu)勢。本文在仿真方法上先進行了FS-IGBT的仿真并與相關(guān)現(xiàn)有產(chǎn)品對照,驗證仿真的合理性：之后對比FS-IGBT和ITC-IGBT的性能,論證了ITC-IGBT的優(yōu)良性能。內(nèi)透明集電極IGBT的提出,在解決IGBT性能和制造工藝矛