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文檔簡介
1、隨著無線通訊技術(shù)的快速發(fā)展，對成本低，功耗低，集成度高的高性能器件和集成電路的需求大大增加，其中射頻前端的集成是最為困難的。鑒于SiGeHBT(鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)既具有Si器件成本低、集成度高的優(yōu)點(diǎn)，又具有GaAs(砷化鎵)器件的高頻率特性，因此基于SiGeHBT的射頻集成電路設(shè)計已成為目前的研究熱點(diǎn)。本課題就是基于SiGeHBT低噪聲放大電路的設(shè)計研究。 本論文在對無線接收系統(tǒng)及集成電路器件特性分析的基礎(chǔ)上，著重對低噪聲放
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