RF集成電路芯片中的高性能MIM電容和電感的研究.pdf

1、隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，集成電路的性能、規(guī)模、復(fù)雜性都有了很大的提高，集成電路設(shè)計(jì)方法和制造也面臨著許多挑戰(zhàn)。特別是射頻(RF)電路，目前已經(jīng)把無源器件集成在RF芯片中，像MIM電容和電感，但是這些無源器件占用的面積很大，而且Q容易隨著頻率變化，Q代表著能量的使用效率，對電路的性能有很大影響。這些無源器件的性能基本上決定了RF電路的性能。因此如何提高無源器件在高頻下的性能，以及如何減少無源器件占用的面積，已經(jīng)成為一個熱門的課題。

2、 提高無源器件的性能和減少占用面積，可以從兩方面同時著手。一個方面是從器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；另一方面是從器件制造工藝。本文主要從制造工藝方面，詳細(xì)介紹如何提高無源器件的性能和減少占用面積。 目前RF電路無源器件主要包括MIM電容和電感。在一般的使用頻率下，MIM電容的Q基本上可以達(dá)到50多，而電感只有20多。所以相對而言，MIM電容的主要問題在于如何減小占用面積，而電感的主要問題在于如何提高Q。 本文就是通過減少M(fèi)IM電容介