納米顆粒的結(jié)構(gòu)控制與性能調(diào)制.pdf

1、　　本論文講述在納米顆粒的結(jié)構(gòu)設(shè)計與物性調(diào)控方面的工作。在文中的三個工作中，分別介紹了通過設(shè)計納米顆粒的原子結(jié)構(gòu)、物質(zhì)成分和拓撲結(jié)構(gòu)來獲得特異的物理性能的思路和試驗結(jié)果；介紹了用濕法制備不同大小晶態(tài)Pd和非晶態(tài)Pd顆粒，通過控制反應(yīng)條件和反應(yīng)速度，首次成功制備了2nm的非晶態(tài)Pd顆粒，并與相同尺寸的晶態(tài)Pd顆粒進行電子學(xué)性能的比較研究，發(fā)現(xiàn)了金屬量子點的非晶化對量子限域效應(yīng)有著抑止作用。另外對晶態(tài)Pd顆粒電導(dǎo)譜的研究觀察到明顯的庫侖臺階

2、附近的精細電導(dǎo)峰隨顆粒尺寸減小，峰間距和峰寬都發(fā)生展寬。這是量子限域效應(yīng)導(dǎo)致的動態(tài)效應(yīng)造成的結(jié)果；介紹了制備了ZnxCd1-xSe、ZnxCd1-xS和HgxCd1-xS合金納米顆粒的方法。討論合金化對半導(dǎo)體顆粒生長的影響；對ZnxCd1-xSe顆粒瞬態(tài)光譜的研究發(fā)現(xiàn)顆粒的成分與熒光壽命的關(guān)系，成分的不同會導(dǎo)致激子躍遷機制的變化；對HgxCd1-xS顆粒光譜的研究發(fā)現(xiàn)Hg2+的摻雜對禁帶邊緣能級結(jié)構(gòu)有一定的影響，并導(dǎo)致熒光的特異性；介紹