CD133標記的腦膠質瘤干細胞放射敏感性的實驗研究.pdf

1、目的:探討由CD133標記的腦膠質瘤干細胞與非腫瘤干細胞（CD133陰性細胞）之間放射敏感性及其DNA雙鏈斷裂損傷及修復的差異性。
　　 方法:選擇腦膠質瘤U251和U87細胞株，分別應用流式細胞儀分選出CD133+和CD133-細胞后，采用細胞克隆形成實驗觀察其放射敏感性；應用免疫熒光檢測照射后不同時間點γ-H2AX灶的表達水平以觀察DNA雙鏈斷裂的損傷及其修復。
　　 結果:腦膠質瘤U251和U87細胞株未接受照射時

2、，CD133-細胞克隆形成率均顯著低于CD133+細胞（t=3.339，p=0.003;t=3.721，p=0.004）;4Gy照射后，U251細胞株，CD133+和CD133-的克隆形成率與未照射組相比分別下降了25％和38%，均存在顯著差異（t=2.837，p=0.011;t=4.717，p=0.000）；U87細胞株，CD133+的克隆形成率與未照射組相比下降了16%，無顯著差異（t=0.65，p=0.55），而CD133-的克隆

3、形成率與未照射組相比下降了50%，存在顯著差異（t=3.162，p=0.025）。4Gy照射后0.5h和6h，U251和U87細胞株的γ-H2AX灶表達水平均顯著高于未照射時，但CD133+和CD133-細胞之間γ-H2AX灶的表達水平無明顯差異（U251:t=0.038，p=0.973;t=0.764,p=0.524.U87:t=0.119,p=0.911;t=0.378,p=0.991）。照后24h,U251和U87細胞株γ-H2A