已閱讀1頁(yè),還剩55頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、 α—AlPO4晶體作為優(yōu)良的聲表面波(SAW)材料引起人們的普遍興趣。其壓電常數(shù)是石英的二至三倍,體波機(jī)電耦合系數(shù)是石英的二點(diǎn)五倍;聲表面波耦合系數(shù)為ST切石英的四倍。在室溫范圍α—AlPO4晶體具有零溫度補(bǔ)償切型,而且它的物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,加工性好,可望在聲表面波器件、聲體波器件中得到廣泛應(yīng)用。
為了完成國(guó)家項(xiàng)目,我們用水熱法生長(zhǎng)α—AlPO4晶體。實(shí)驗(yàn)了填充率,生長(zhǎng)速度等因素對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響,獲得了生長(zhǎng)晶體的最佳工藝條
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 銻化鎵單晶生長(zhǎng)工藝研究.pdf
- 硒化鎘多晶合成與單晶生長(zhǎng)工藝的改進(jìn).pdf
- 直拉單晶硅磁場(chǎng)生長(zhǎng)工藝及氧的摻入機(jī)理研究.pdf
- CdSe單晶體生長(zhǎng)工藝與探測(cè)器性能研究.pdf
- 天通公司快速硅單晶生長(zhǎng)工藝控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 齒輪表面陶瓷生長(zhǎng)工藝的研究.pdf
- ZnO晶體PVT生長(zhǎng)工藝研究.pdf
- 8-羥基喹啉鋁單晶生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf
- 拓?fù)浣^緣化摻雜Bi2Se3的電熱輸運(yùn)特性及其單晶生長(zhǎng)工藝研究.pdf
- 原位生長(zhǎng)莫來(lái)石-磷酸鉻鋁復(fù)相陶瓷燒結(jié)工藝研究.pdf
- GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝的研究.pdf
- 直拉單晶硅生長(zhǎng)和工藝研究
- 直拉單晶硅生長(zhǎng)和工藝研究
- KDP晶體快速生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)工藝.pdf
- 甘氨酸單晶生長(zhǎng)研究及其結(jié)晶工藝初探.pdf
- 磷酸鋁分子篩的綠色合成工藝研究.pdf
- 藍(lán)寶石單晶表面生長(zhǎng)增強(qiáng)用鎂鋁尖晶石薄膜研究.pdf
- GaInSb晶體的布里奇曼法生長(zhǎng)工藝研究.pdf
- 直拉法單晶硅生長(zhǎng)原理及工藝.pdf
- Yb-KuPO4晶體的生長(zhǎng)工藝及性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論