Tb3Ga5O12晶體生長工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在本論文中，主要分為兩部分，其一是納米粉體的制備及表征；其二是晶體生長及表征。粉體制備過程中采用液相共沉淀法和高溫固相燒結(jié)法，其中，液相共沉淀法制備的前驅(qū)體和納米粉體，通過熱重-差熱分析（TG-DTA）、X射線衍射分析（XRD）、紅外光譜分析（IR）、掃描電鏡分析（SEM）和拉曼散射分析（Raman）等方法進行了測試和表征。高溫固相法制備的粉體，使用 X射線衍射儀進行測試。考慮實驗的實際因素，決定采用高溫固相法制備納米粉體。將粉體壓制成

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