2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域,ZnO是繼SiC和GaN之后又一種極具潛力的光電子材料。這種化合物半導(dǎo)體在室溫下禁帶寬度為3.37eV,其更高的自由激子結(jié)合能可達(dá)60MeV,并且發(fā)光波長比GaN的藍(lán)光波長還要短。隨著新型光電材料產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,人們需要更多的應(yīng)用于藍(lán)紫外激光器、探測器、抗輻射、酎高溫、大功率的電子器件材料,因此,對大尺寸、高質(zhì)量的ZnO晶體需求也越來越高。
　　目前,生長ZnO晶體的方法主要有水熱法、助溶劑法、熔體法和氣相法。

2、但是這些方法對設(shè)備高度要求,對安全性的考驗(yàn)及過高的成本等局限性使得ZnO晶體的制備受到了很大的阻礙。為了實(shí)現(xiàn)高生長速率,高純度的ZnO品體,本文采用了物理氣相升華法(PVT法)。
　　論文采用PVT法制備ZnO晶體,分析了不同生長氣氛下,ZnO晶體的生長情況,得出了合適的生長氣氛。在己確立的生長氣氛下,重點(diǎn)分析了不同源-晶(樹堝蓋)溫度差、源溫度、系統(tǒng)壓強(qiáng)下對晶體生長的影響,并且通過XRD、拉曼散射、SEM等對ZnO晶體的質(zhì)量做了

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