納米雜化聚酰亞胺薄膜耐局部放電測量及熱激電流的研究.pdf

1、現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展對工程介電材料的種類和性能提出了更高的要求，各種雜化材料應(yīng)運(yùn)而生。納米材料以其量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)所表現(xiàn)出的特有性能，更是備受人們的青睞。有機(jī)一無機(jī)納米復(fù)合材料作為一種新型產(chǎn)品，成為人們關(guān)注的焦點。無機(jī)納米雜化聚酰亞胺材料具有良好的耐電暈性能，已經(jīng)在機(jī)電、電子電氣、儀表等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。 熱激電流方法是用來研究高聚物內(nèi)偶極松弛、陷阱參數(shù)、空間電荷的貯存和輸運(yùn)以及聚合物結(jié)構(gòu)松弛

2、與轉(zhuǎn)變、分子運(yùn)動特征等的有效方法。因此，廣泛應(yīng)用于介電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料等的研究中。 本文設(shè)計制作了薄膜材料耐局部放電測試系統(tǒng)，對杜邦公司、長春應(yīng)用化學(xué)研究所以及自制的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行了試驗。結(jié)果表明納米雜化聚酰亞胺薄膜比原始薄膜的耐電暈時間長很多，并且隨薄膜厚度的增加耐電暈時間成非線性增加。在對無機(jī)物鋁氧化物含量不同的納米雜化薄膜進(jìn)行耐電暈試驗發(fā)現(xiàn)，隨無機(jī)含量的增加薄膜的耐電暈時間增加，在無機(jī)含量為15[％]時耐電暈時