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1、該文設(shè)計(jì)并制作了高壓力下熱激電流的測(cè)量裝置,包括樣品室、液壓系統(tǒng)等部分.完成了控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制作,硬件方面制作了線性與恒定溫度控制系統(tǒng),以及線性降壓系統(tǒng);軟件方面,應(yīng)用Microsoft Visual C++編制了自動(dòng)控制、濾波及繪圖軟件,以及單片機(jī)控制軟件.實(shí)驗(yàn)證明,該裝置性能可靠,準(zhǔn)確度較高.應(yīng)用該測(cè)量裝置測(cè)量了不同壓力下納米雜化聚酰亞胺薄膜及普通聚酰亞胺薄膜的熱激電流譜,分析曲線后得出:1.每條曲線在各自不同的壓力下及所給定的溫
2、度區(qū)間只有一個(gè)較為顯著的峰出現(xiàn),因?yàn)闇y(cè)量溫度低于PI的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg,所以所有TSC峰均為β松弛峰.2.在不同的壓力下退極化電流峰的峰溫Tp和峰高都有所不同,隨壓力增大峰溫向高溫區(qū)移動(dòng),而且峰高也顯著的增大.這主要是因?yàn)閴毫κ箻悠范搪吠藰O化不易進(jìn)行,從而導(dǎo)致退極化電流峰峰高增加;壓力的增大使聚合物內(nèi)部的活化自由能增大,使峰溫Tp移向高溫.在對(duì)曲線的分析中,應(yīng)用起始上升法計(jì)算了各條曲線的松弛參數(shù),其中普通PI薄膜的活化能范圍是0.8~
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