CuAlO-,2-基熱電陶瓷材料微結(jié)構(gòu)及其熱電性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過固相反應(yīng)法制備了不同燒結(jié)溫度下、不同金屬氧化物摻雜的CuA102基陶瓷。利用X射線粉末衍射儀以及正電子湮沒壽命譜儀、正電子湮沒輻射Doppler展寬譜儀等實(shí)驗(yàn)儀器,系統(tǒng)研究了燒結(jié)溫度、不同金屬氧化物摻雜對(duì)CuA102熱電陶瓷微結(jié)構(gòu)和熱電性能的影響。主要的實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:
   (1)XRD結(jié)果顯示,以CuO和A1203為原材料通過固相反應(yīng)法制備得CuAl02基陶瓷,樣品中含有CuAI02和少量的CuO,沒有A1203和其他

2、雜質(zhì),且CuO含量隨著燒結(jié)溫度升高而降低。這說明燒結(jié)溫度越高陶瓷樣品中的化學(xué)成分失配率越低。因cu+空位而產(chǎn)生的空穴載流子導(dǎo)致CuA102基陶瓷電阻率降低。
   (2)CuAI02基陶瓷中CuAI02晶粒隨著燒結(jié)溫度升高而增大,且晶粒生長方向明顯呈c軸擇優(yōu)取向。隨燒結(jié)溫度升高,樣品中的微孔洞尺寸增大,但微孔洞濃度則減小。室溫下樣品的電阻率和seebeck系數(shù)都隨著燒結(jié)溫度升高出現(xiàn)一個(gè)波谷,而其功率因子則隨著燒結(jié)溫度升高而降低。

3、
   (3)在CuA102基陶瓷中摻入少量的Fe(x<0.10)時(shí),F(xiàn)e3+離子取代CuAlO2結(jié)構(gòu)中的AI3+離子位置,樣品的Doppler展寬譜的3d信號(hào)和功率因子均增加;而樣品的S參數(shù)、正電子平均壽命、電阻率和Seebeck系數(shù)均降低。這可能是因?yàn)楫?dāng)Fe3+離子取代CuA102結(jié)構(gòu)中的AI3+離子后,樣品中3d電子數(shù)增多。
   (4)隨Fe含量(x>0.10)的增加,F(xiàn)eAl204抑制CuA1204和CuO進(jìn)一

4、步反應(yīng),樣品中CuAll-xFex02含量減少,樣品中空位團(tuán)和微孔洞的濃度增大,阻礙載流子遷移,使樣品的電阻率增大,功率因子降低。
   (5)在CuA102基陶瓷中摻入少量的Ca,Ca2+離子可以通過取代cu+離子位置進(jìn)入CuA102結(jié)構(gòu)中。隨著Ca含量的增加,樣品的正電子體壽命、Seebeck系數(shù)增大;而樣品的體電子密度、大尺寸微孔洞的濃度減??;功率因子隨Ca含量的增加先增大后減小。
   (6)摻入的Mg抑制了Cu

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