SOI LDMOS相陣控CCD陣列研究.pdf

1、自從1969年Y.Tarui等人提出LDMOS結構以來，因其為單極型器件，不受少子存儲效應的影響，與存儲電荷相關的延遲大大減小，與雙極型器件相比，LDMOS具有較快的開關速度和較高的截至頻率，最初在功率電子學領域作為開關器件得到了廣泛應用。而在射頻應用方面，LDMOS較之雙極晶體管而言也具有許多優(yōu)點：由于在大電流范圍的跨導保持較大并為常數(shù)，故線性放大的動態(tài)范圍較大，并在較大輸出功率時能有較大的線性增益；交叉調(diào)制失真較低等，這些是雙極晶體

2、管所不能達到的。因此，LDMOS器件特性得到深入研究。
　　隨著VLSI工藝水平的不斷發(fā)展，CMOS CCD技術特征尺寸越來越小，CCD陣列也越來越大，出現(xiàn)了大CCD陣列，甚至是超大CCD陣列。因此，大CCD陣列對驅動功率要求也越來越大，要求CCD的驅動電路需要在給定驅動電壓和驅動頻率下具有更大的電流驅動能力，并且消耗更小的芯片面積。然而采用單純的CMOS電路比較難以同時滿足這些要求。而SOILDMOS器件既具有高頻大功率驅動能力

3、，又與CMOS工藝兼容，比復雜結構的純CMOS驅動電路占用更小的芯片面積。因此，SOI LDMOS將成為CMOS CCD大陣列大功率驅動輸出級首選器件。
　　本文利用SOI LDMOS較高的功率驅動能力，在較高的電壓下，為CCD陣列提供所需的驅動電流。借助Silvaco TCAD軟件的仿真，建模、設計、計算得出CCD單元柵極所需要的驅動電流，時間常數(shù)；同時為設計SOI LMODS提出相應的參數(shù)要求。最后，根據(jù)所提出的參數(shù)要求，采用