SRAM型FPGA抗單粒子效應(yīng)技術(shù)研究.pdf

1、航天工程中應(yīng)用的設(shè)備，如衛(wèi)星、宇宙飛船等，離不開大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的應(yīng)用，作為超大規(guī)模集成電路的一員，SRAM型FPGA以其豐富的邏輯資源，靈活的配置方式，已被越來越多的應(yīng)用在空間電子系統(tǒng)中，并被用作信號處理的關(guān)鍵器件；但自從其開始應(yīng)用以來，其受到空間中粒子輻射的影響就一直為人們所關(guān)注。如何提高SRAM型FPGA的抗輻射性能已經(jīng)成為其是否能夠廣泛應(yīng)用于空間電子系統(tǒng)的關(guān)鍵所在。
　　 本文以提高SRAM型FPGA抗單粒子效應(yīng)

2、能力為研究目標(biāo)，分析了SRAM型FPGA的單粒子效應(yīng)故障模式，研究了單粒子效應(yīng)故障注入技術(shù)、抗單粒子效應(yīng)加固技術(shù)。主要內(nèi)容包括：首先根據(jù)SRAM型FPGA的抗單粒子效應(yīng)特性，分析了SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)故障模式。然后研究了已有的抗單粒子效應(yīng)技術(shù)，通過對三模冗余技術(shù)和存儲器擦除技術(shù)，提出一種在FPGA內(nèi)部進行存儲器自擦除的抗單粒子效應(yīng)技術(shù)解決方案。對提出的抗單粒子效應(yīng)技術(shù)解決方案利用Xilinx公司的Virtex系列FPGA器件和X