K575DX濺射鍍膜儀反應濺射制備ZnO薄膜的研究.pdf

1、氧化鋅是一種直接帶隙的寬禁帶Ⅱ-Ⅳ族化合物半導體材料，在室溫下禁帶寬度為3.27 eV，激子結合能為60 meV，具有良好的光電、壓電、熱電和鐵電等性能，可應用于短波長發(fā)光二極管、紫外激光器和表面聲波等光電器件的制備，近幾年來引起了人們廣泛的研究。
　　 直流反應磁控濺射法(DCRMS)是一種良好的鍍膜技術，它結合了磁控濺射和反應濺射技術的優(yōu)點，采用直流電源和金屬靶材，對設備要求低、耗能少，是制備氧化鋅薄膜常用的方法之一。K57

2、5XD離子濺射鍍膜儀為英國Emitch公司生產(chǎn)的高性能鍍膜儀，裝有磁控靶和雙濺射頭，可快速實現(xiàn)不同組成的高性能、精細薄膜的制備；經(jīng)適當改裝后，在鍍膜儀上增加反應氣體的進氣氣路和基片加熱裝置，可滿足實驗要求，用于直流反應磁控濺射氧化鋅薄膜。
　　 本論文主要針對氧化鋅薄膜在光電領域的應用，在改裝的K575XD離子濺射鍍膜儀上，應用直流反應磁控濺射方法研究高性能氧化鋅薄膜的制備。實驗中，分別在不同的工藝參數(shù)下制備了氧化鋅薄膜，并用S