ZnO薄膜和p型ZnO薄膜的磁控濺射法制備及其性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、ZnO是一種新型的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，其室溫禁帶寬度為3.37eV，熔點(diǎn)為2230K，具有良好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及更短的激射波長(zhǎng)，是制作短波長(zhǎng)激光器以及紫外探測(cè)器的理想材料。ZnO最大的優(yōu)點(diǎn)是其高的激子束縛能(60meV)，比同是Ⅱ-Ⅵ族的ZnSe(21meV)及Ⅲ-Ⅴ族GaN(20meV)高出許多，高的激子束縛能使其在室溫下具有強(qiáng)的激子發(fā)光特性。 本論文利用射頻磁控反應(yīng)濺射技術(shù)生長(zhǎng)出具有高度晶面(002)取向的ZnO

2、外延薄膜。通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)、吸收光譜(ABS)和熒光光譜(PL)等測(cè)量分析手段，分別研究分析了不同襯底、不同濺射氣氛和退火對(duì)ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量及光學(xué)性質(zhì)的影響。研究表明，在200℃低溫生長(zhǎng)的硅基ZnO外延薄膜能夠形成幾十到幾百納米的氧化鋅準(zhǔn)六角結(jié)構(gòu)外形，而玻璃基底上則沒(méi)有。當(dāng)氧氬比為4∶1時(shí)，吸收譜激子峰最佳；而退火處理后，所有樣品的結(jié)晶質(zhì)量提高，表面更平整，且吸收譜的激子峰(363nm)得到加強(qiáng)，同時(shí)出

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