大馬士革銅互連工藝中氮化硅薄膜層球狀缺陷形成機制的研究.pdf

1、隨著集成電路向著高密度化和高性能化方向發(fā)展，電路特征尺寸不斷縮小，互連層數不斷上升。由于銅的電阻率較低，抗電迀移和應力迀移能力強，且其鑲嵌制造工藝的兼容性好、成本低，因此銅互連已取代鋁互連成為新型主導互連技術。新的互連結構和工藝，如銅電鍍⑷⑶110-⑶卯沈口1過1打2，2〇？〕和化學機械拋光(也601⑶1-06也孤1⑶1001油1明，[嫌)等，以及新的互連材料，如低&介質、阻擋層和覆蓋層材料等，也相繼被開發(fā)并應用于集成電路互連技術，從而

2、大大提高了集成電路的性能，但也由此引發(fā)了一系列的互連可靠性問題丨在銅互連工藝中，常出現由于生成銅的硅化物和應力迀移形成的球狀缺陷。由于銅的硅化物而造成的漏電短路和在銅晶界應變而誘生空洞是銅互連失效的重要現象之一。本文著重介紹介質層中由于存在銅的硅化物而造成的漏電失效和應力迀移而形成的空洞失效部分。
　　本論文首先就球狀缺陷的產生原因及其失效機理作了分析，其次通過對氨等離子體預處理和氮化硅預沉積的這兩步驟進行實驗研究，利用田口分析判