多片式MOCVD系統(tǒng)溫度控制方法研究與實(shí)現(xiàn).pdf

1、MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積），是第三代新型半導(dǎo)體材料GaN生長技術(shù)。多片式MOCVD設(shè)備的成功研制，給半導(dǎo)體材料的應(yīng)用提供了廣闊的前景。MOCVD設(shè)備反應(yīng)室內(nèi)石墨基座區(qū)域的溫度控制直接影響著半導(dǎo)體材料生長的質(zhì)量，而MOCVD設(shè)備溫度控制具有“非線性”、“大滯后”等特點(diǎn)，為了實(shí)現(xiàn)多片式MOCVD設(shè)備溫度控制，研究該設(shè)備的溫度控制方法是非常有必要的。 本文首先簡單介紹了MOCVD系統(tǒng)以及多片式MOCVD設(shè)備溫度控制的控制

2、對象、控制方式及控制特點(diǎn)。然后，根據(jù)系統(tǒng)辨識的原理，通過處理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，得到了多片式MOCVD溫度控制系統(tǒng)的靜態(tài)模型和動態(tài)模型。針對多片式MOCVD設(shè)備的近似動態(tài)模型，利用MATLAB的SIMULINK仿真環(huán)境，對幾種溫度控制方法及其復(fù)合控制方法進(jìn)行了仿真。在仿真中，分析總結(jié)了參數(shù)調(diào)節(jié)規(guī)律，并比較了各種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，為實(shí)現(xiàn)多片式MOCVD設(shè)備溫度控制選擇控制方法提供了理論參考。最后設(shè)計(jì)了溫度控制程序并在上位機(jī)WinCC全局腳本下編程，實(shí)現(xiàn)