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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤等產(chǎn)品市場(chǎng)的擴(kuò)大,對(duì)快速大容量存儲(chǔ)器的需求日益增長(zhǎng)。NAND Flash作為一種非易失性存儲(chǔ)器,具有存儲(chǔ)密度高、編程擦除速度快、成本低、壽命高等特點(diǎn),成為存儲(chǔ)芯片的主流。NAND Flash控制器的研究具有重要的價(jià)值,它負(fù)責(zé)完成NAND Flash存儲(chǔ)器與外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸??刂破髟O(shè)計(jì)的好壞影響到整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能。
與一般控制器不同的是,本文設(shè)計(jì)的NAND Flash控制器,既支持ONFI
2、1.0~2.2的異步與源同步接口,又支持Toggle DDR1.0接口??刂破鲀?nèi)部有專門的物理層電路來(lái)產(chǎn)生高速DDR接口時(shí)序,發(fā)揮出NAND Flash的最大傳輸速度。
結(jié)合SoC開(kāi)發(fā)的需求,所設(shè)計(jì)的NAND Flash控制器是采用AHB接口,目前最主流的片上系統(tǒng)總線。內(nèi)置DMA模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸引擎,主動(dòng)從外部搬運(yùn)數(shù)據(jù),無(wú)需CPU干擾,進(jìn)一步加快了數(shù)據(jù)傳輸。
由于NAND Flash存儲(chǔ)過(guò)程中出現(xiàn)比特位反轉(zhuǎn),控制器內(nèi)
3、增加了ECC校驗(yàn)功能,來(lái)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正。ECC模塊采用IP核,基于BCH算法,能夠?qū)崿F(xiàn)1K字節(jié)數(shù)據(jù)中糾正32位隨機(jī)錯(cuò)誤。
最后,對(duì)NAND Flash控制器進(jìn)行功能仿真,仿真結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的NAND Flash控制器能夠完成對(duì)NAND Flash的各種存取操作,接口時(shí)序滿足ONFI與Toggle的標(biāo)準(zhǔn)要求。然后采用SMIC0.13標(biāo)準(zhǔn)工藝庫(kù)進(jìn)行邏輯綜合、布局布線,在Synopsys PrimeTime下進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析與優(yōu)
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