基于靜電感應(yīng)晶閘管的ESD保護(hù)器件設(shè)計(jì)與分析.pdf

1、靜電放電，ESD，是在日常生活比較常見的自然現(xiàn)象，而對于普通IC來講ESD是致命的危害。電子工業(yè)每年花在這上面的費(fèi)用有數(shù)十億美元之多。所以ESD現(xiàn)象越來越引起電子工程師們的重視，越來越多的保護(hù)器件和保護(hù)電路被開發(fā)出來，同時(shí)電子工程師與半導(dǎo)體工程師也更急需要研制出新型有效的ESD保護(hù)器件。
　　 本論文首次探索使用靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)作為ESD保護(hù)器件?；谄骷锢矸治觯孕芯幹屏薙ITH對ESD應(yīng)力作用動態(tài)響應(yīng)過程的模擬程

2、序，給出了SITH在ESD過程中的各參數(shù)(電壓、電流、載流子、溫度、產(chǎn)生率)的變化及其規(guī)律：研究了不同結(jié)構(gòu)的SITH對ESD過程的響應(yīng)特征；利用自行搭建的ESD信號發(fā)生和測試裝置做了實(shí)驗(yàn)測試與分析。通過器件結(jié)構(gòu)上的優(yōu)化得到了以下結(jié)果：1、SITH在傳輸線脈沖模型(TLP)電流作用下所得到的器件的電壓分布的變化與溫度分布的變化；2、關(guān)鍵的結(jié)構(gòu)參數(shù)(柵源間距)對SITH ESD表現(xiàn)的影響。
　　 本論文所取得的結(jié)果，作為基于新結(jié)構(gòu)、