2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著對電腦硬盤的容量需求的不斷提升,300TB容量的硬盤會在2010年面世,磁頭生產(chǎn)工藝正在為這一目標(biāo)努力,但實現(xiàn)這一目標(biāo)需要新的磁記錄技術(shù),垂直記錄式磁頭就是其中最具競爭力的技術(shù)之一。
  本課題評估磁頭生產(chǎn)過程在RLG(Resistance Lapping Guidance—電阻導(dǎo)向研磨)工序中的各個因素的作用,介定影響磁頭電阻良品率的關(guān)鍵因素并進(jìn)行優(yōu)化,以達(dá)到電阻良品率提高10%的目的。
  本文通過大量實驗分析了垂直

2、記錄式磁頭低電阻輸出的成因,分析了低電阻輸出與磁頭讀寫元件表面劃痕的深度和方向的關(guān)系,并了解了精密研磨工序中的微小劃痕深度和方向同相關(guān)參數(shù)的對應(yīng)關(guān)系,在對精密研磨工序進(jìn)一步研究的基礎(chǔ)上,給出實際生產(chǎn)的優(yōu)化方案并付諸實施。
  本文采用正交實驗的方法,分析了磁頭RLG研磨的過程參數(shù),確定了磁頭電阻不良的成因是電阻單元上下導(dǎo)線的短接,RLG研磨過程中電阻單元上的深劃痕使屏蔽層從劃痕處產(chǎn)生了電流分流現(xiàn)象造成不良品。
  為了提高磁

3、頭的產(chǎn)品良品率,研究了RLG研磨過程中各個關(guān)鍵參數(shù)的相互作用,分析了RLG研磨的相應(yīng)關(guān)鍵參數(shù),發(fā)現(xiàn)控制RLG研磨坯的轉(zhuǎn)動速度(Plate Speed)和研磨機頭的橫向擺動速度(OSC)的配比能有效控制微小劃痕的方向從而減少了導(dǎo)線之間的直連,發(fā)現(xiàn)磨粒粒度差異小的粒磨劑能有效改善了微小劃痕的深度,發(fā)現(xiàn)多晶體金剛石磨粒在劃痕控制方面比單晶體磨粒優(yōu)越,更易獲得良好的表面質(zhì)量。提出了解決磁頭讀寫元件表面劃痕的方向和深度控制的可行方法。
  

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