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文檔簡介
1、近年來磁盤的面密度迅猛增長,磁頭/磁盤間的飛行高度隨之不斷降低,磁頭的飛行控制精度需不斷提高,目前,飛行高度已降到10nm以內(nèi),飛行控制精度控制在2nm左右。因而,磁頭表面形貌浮法研磨技術(shù)變得非常重要。同時(shí)研磨過程中以磁條為加工單位,而非單個(gè)磁頭,每條磁條由81粒磁頭組成,磁條經(jīng)研磨、真空工序后切成磁頭,這加大了生產(chǎn)中磁頭表面形貌的控制難度,往往由于磁條上單個(gè)磁頭的受力不一致,使得磨削量不均勻,常導(dǎo)致磁條兩端磁頭表面形貌TC值小于中部的
2、磁頭的TC值。由于飛行高度很低,在硬盤批量生產(chǎn)中會(huì)導(dǎo)致部分硬盤存儲密度降低、讀取速率下降、嚴(yán)重時(shí)可導(dǎo)致磁頭和盤片相撞,造成存儲數(shù)據(jù)毀滅性破壞事故。因此,不斷改善磁頭表面形貌的研磨質(zhì)量已成為關(guān)鍵問題之一。
本課題的目的在于獲得均一的磁頭表面形貌以及高質(zhì)量、超光滑、無缺陷的磁頭表面。
本文的研究內(nèi)容和成果主要包括以下幾個(gè)方面:
1)采用壓痕斷裂力學(xué)模型及AFM、SEM測試方法,分析磁頭基體材料研磨去除機(jī)理。磁頭
3、基體材料的脆塑轉(zhuǎn)變臨界磨削深度為7nm,當(dāng)磨削深度小于臨界磨削深度時(shí),硬脆材料AlTiC陶瓷可實(shí)現(xiàn)塑性去除,獲得高質(zhì)量、超光滑、無缺陷的磁頭表面。
2)通過磁頭表面形貌浮法研磨原理,建立運(yùn)動(dòng)學(xué)研磨模型,對研磨運(yùn)動(dòng)學(xué)參數(shù)進(jìn)行工藝指導(dǎo)。同時(shí)對運(yùn)動(dòng)學(xué)因子進(jìn)行相應(yīng)實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果和運(yùn)動(dòng)學(xué)分析相吻合,同時(shí)對運(yùn)動(dòng)學(xué)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。
3)根據(jù)有限元原理,運(yùn)用ANSYS軟件對研磨力場進(jìn)行模擬,分析磁頭表面形貌離散原因,并對工藝參數(shù)進(jìn)行
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