超高密度磁記錄寫磁頭材料FeCoN薄膜的研究.pdf

1、高飽和磁化強(qiáng)度的軟磁薄膜在寫磁頭方面和高頻微傳感器方面都具有很高應(yīng)用價(jià)值，可是到目前為止仍然很少有飽和磁化強(qiáng)度超過2.1T同時(shí)矯頑力低于1Oe的軟磁薄膜材料。Fe65Co35薄膜飽和磁化強(qiáng)度可達(dá)到2.45T。在Fe65Co35薄膜中摻雜N可以有效的降低薄膜矯頑力，不過這樣也會(huì)降低薄膜飽和磁化強(qiáng)度。本論文主要內(nèi)容是在有效降低薄膜矯頑力的同時(shí)保證高的飽和磁化強(qiáng)度，制備出同時(shí)具有高飽和磁化強(qiáng)度和低矯頑力的FeCoN薄膜。在實(shí)驗(yàn)過程中得出了以下

2、結(jié)論： 1.隨著氮分壓的升高，F(xiàn)eCoN薄膜晶格膨脹，同時(shí)薄膜中的納米晶和非晶成份增加。 2.隨著氮分壓的升高，F(xiàn)eCoN薄膜矯頑力變小Hce從最大174Oe降到最小3Oe，Hch從最大170Oe降到最小0.4Oe；飽和磁化強(qiáng)度略有減小，由最大2.45T降低到最小1.15T；電阻率先由112μΩ.cm升高到最大249μΩ.cm，隨后緩慢降低至197μΩ.cm。 3.氮分壓為10％時(shí)的FeCoN薄膜在各方面都具有良

3、好的性能，此時(shí)制備的FeCoN薄膜同時(shí)存在α-Fe(Co，N)BCC結(jié)構(gòu)、納米晶和非晶相，薄膜矯頑力Hce=4.5Oe，Hch=1.3Oe，飽和磁化強(qiáng)度Ms=2.02T，各向異性場Hk=90Oe，電阻ρ=228μΩ.cm。 4.FeCoN薄膜的應(yīng)力σ和飽和磁滯伸縮λs都隨氮分壓的增大而減小。但是氮分壓為10％的FeCoN薄膜是例外，它有最高的Hk值(90 Oe)和最高的鐵磁共振頻率fr值(3.45GHz)。 5.兩種不同