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1、如今人們對(duì)記錄密度的要求越來越高,而目前傳統(tǒng)的水平磁記錄技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了技術(shù)上的物理極限,為了提供更大容量的信息存儲(chǔ)系統(tǒng)來繼續(xù)助推信息化社會(huì)的發(fā)展,人們把主要希望寄托在了垂直磁記錄技術(shù)之上??梢杂脕碜鳛榇怪贝庞涗浗橘|(zhì)具有很高的磁晶各向異性的L10-CoPt合金薄膜越來越受到人們的關(guān)注。其中關(guān)鍵的因素就是要形成Co原子和Pt原子延c軸交替排列的有序的L10相。 在本研究中,制備了一系列不同Co含量的CoPt合金薄膜,并對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)以
2、及磁性能作了研究,此外為了提高CoPt合金薄膜的性能我們主要研究了3種不同摻雜物對(duì)CoPt合金的晶體結(jié)構(gòu)以及磁性能的影響,并且得到如下結(jié)論: 1.當(dāng)Co含量為55at.%時(shí)薄膜最容易形成超晶格結(jié)構(gòu),通過熱處理薄膜磁性由軟磁性向硬磁性轉(zhuǎn)化,并且CoPt合金的有序化程度隨著熱處理溫度的升高而增加。具有超晶格結(jié)構(gòu)的薄膜具有最好的硬磁特性。 2.Ag的添加有效的提高了薄膜垂直方向的矯頑力,形成垂直方向的磁性易軸取向,當(dāng)Ag添加量
3、為10%左右的時(shí)候有助于薄膜中CoPt晶粒的(001)垂直于膜面的擇優(yōu)取向,當(dāng)Ag添加量超過20%的時(shí)候薄膜變?yōu)閾駜?yōu)的(111)取向,導(dǎo)致整體磁性能下降。 3.Si02添加可以有效抑制CoPt晶粒的生長(zhǎng)、將CoPt合金的晶粒大小從50nm左右減小到12nm左右,SiO2的摻雜提高了CoPt合金的有序化溫度,含20vol.%SiO2的CoPt合金薄膜的有序化溫度明顯升高到了 4.發(fā)現(xiàn)Cu添加可以明顯地降低CoPt合金的熱處
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