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文檔簡介
1、該研究課題以氧化煙錫靶和氧化鋅鋁靶為靶材,采用射頻磁控濺射工藝在純氬氣氛中沉積ITO和ZAO薄膜,靶材中SnO<,2>和Al<,2>O<,3>的摻雜比例分別為10﹪和3﹪,成膜過程中研究了各工藝參數(shù)對其結構和光電特性的影響.另外采用了在氬和氧的混合氣氛中共濺射鋅靶和鋁靶的方法來制備鋁摻雜氧化鋅薄膜,鋁的摻雜量由施加在鋁靶上的功率大小決定.雙靶共濺沉積ZAO薄膜時,氧流量和基片溫度是影響薄膜特性的重要因素,隨著鋁靶射頻功率增加,由于鋁的摻
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