版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、GaN基HEMT器件在高頻和高功率應(yīng)用上展示了非常好的特性,但是AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)HEMT器件仍然存在柵泄漏電流較大和電流崩塌效應(yīng)等問(wèn)題。為了有效的減小柵泄漏電流和抑制電流崩塌效應(yīng),本文重點(diǎn)研究了MIS-HEMT器件。MIS-HEMT器件主要的問(wèn)題是GaN與介質(zhì)之間的界面態(tài)陷阱密度較高,限制了MIS-HEMT器件的優(yōu)勢(shì)。因此本文提出以原位生長(zhǎng)的AlN材料作為MIS-HEMT器件的介質(zhì)材料以減小工藝步驟和界面態(tài)陷阱濃度,并取得了較為
2、理想的結(jié)果。
本文首先完成了以原位生長(zhǎng)的低溫和高溫AlN材料作為介質(zhì)層的MIS-HEMT器件的制作,并通過(guò)室溫下對(duì)MIS-HEMT器件和常規(guī)HEMT器件特性的對(duì)比分析。發(fā)現(xiàn)低溫AlN介質(zhì)材料的MIS-HEMT器件可以減小柵泄漏電流達(dá)兩個(gè)數(shù)量級(jí),擊穿電壓也得到明顯的提高;而高溫AlN介質(zhì)層的MIS-HEMT器件主要提高了擊穿電壓,有效的抑制了電流崩塌特性,通過(guò)對(duì)其電學(xué)應(yīng)力的測(cè)試發(fā)現(xiàn),在開(kāi)態(tài)應(yīng)力下主要是由于溝道導(dǎo)通電阻的增加導(dǎo)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 氮化物MIs-HEMT器件界面工程研究.pdf
- GaN基凹槽柵MIS-HEMT器件的研制及可靠性分析.pdf
- 高K柵介質(zhì)AlGaN-GaN MOS-HEMT器件研究.pdf
- HEMT器件的模擬研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)AIGaN-GaN MOS-HEMT器件特性研究.pdf
- AlGaN溝道異質(zhì)結(jié)材料生長(zhǎng)優(yōu)化與高壓HEMT器件研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)AlGaN-GaN MOS-HEMT器件性能研究.pdf
- GaN HEMT器件的模型研究.pdf
- GaN HEMT器件模型研究.pdf
- InAs-AlSb HEMT 器件研究.pdf
- InAs-AlSb HEMT器件研究.pdf
- 硅基AlInGaN-AlN-GaN HEMT外延生長(zhǎng)與器件工藝研究.pdf
- InP基HEMT器件模型研究.pdf
- 多介質(zhì)復(fù)合隧穿層的閃存器件研究.pdf
- GaN基HEMT器件缺陷研究.pdf
- GaN基HEMT器件的基礎(chǔ)研究.pdf
- 基于增強(qiáng)介質(zhì)層電場(chǎng)技術(shù)的新型SOI高壓器件研究.pdf
- GaN基HEMT器件的變溫特性研究.pdf
- 基于表面勢(shì)的GaN HEMT器件模型研究.pdf
- GaN基HEMT器件低溫特性研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論