InAs-AlSb HEMT器件研究.pdf_第1頁(yè)
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1、銻化物具有很高的電子遷移率和電子飽和漂移速度，因此銻化物HEMT成為新一代的超高速低功耗電子器件，在高頻集成電路應(yīng)用方面極具潛力，有很大的發(fā)展空間。
　　本文首先通過ISE-TCAD軟件建立了器件模型并對(duì)器件進(jìn)行仿真，為材料生長(zhǎng)以及器件制備進(jìn)行指導(dǎo)。在此基礎(chǔ)上，研究了InAs/AlSb材料的能帶結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了在InAs溝道上層的勢(shì)壘中添加N型δ摻雜的外延結(jié)構(gòu)，并利用原子力顯微鏡(AFM)、CV以及霍爾測(cè)試手段，比較了δ摻雜對(duì)InAs

2、溝道中二維電子氣濃度和遷移率的影響。研究結(jié)果表明，在只有上層δ摻雜外延結(jié)構(gòu)的InAs溝道中電子遷移率與二維電子氣濃度分別為26000cm2/V·s，8.65×1011cm-2，在下層勢(shì)壘區(qū)中添加了δ摻雜以及上層勢(shì)壘區(qū)添加InAs量子阱后的InAs/AlSb材料的電子遷移率與二維電子氣濃度分別為16000cm2/V·s，5.9×1012cm-2。此外，研究了插入層厚度對(duì)外延材料的表面質(zhì)量的影響，通過合理的設(shè)計(jì)，得到二維電子氣濃度、遷移率和

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