InP基HEMT器件模型研究.pdf

1、InP基高電子遷移率晶體管(HEMT)具有電子遷移率高、噪聲系數(shù)低、功耗低及功率增益高等特點(diǎn)，廣泛用于毫米波單片集成電路設(shè)計(jì)中，在國(guó)防、航天等高速應(yīng)用系統(tǒng)中占據(jù)著重要地位。模型是連接制備工藝和集成電路設(shè)計(jì)的重要紐帶，本論文對(duì)InP基HEMT器件大小信號(hào)模型進(jìn)行研究，具體內(nèi)容如下:
　　(1)基于傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管小信號(hào)模型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并結(jié)合InP基HEMT器件短?hào)砰L(zhǎng)和短?hào)艤祥g距的特點(diǎn)，提出了InP基HEMT器件16參數(shù)模型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。增

2、加了柵源電阻(Rgs）來(lái)表征短?hào)艤掀骷臇判孤┬?yīng)，增加漏源延時(shí)因子（τds）來(lái)表征漏端電壓對(duì)溝道電流的影響。采用Open和Short元件提取外圍寄生參數(shù)，利用去嵌后的Y參數(shù)對(duì)本征參數(shù)進(jìn)行提取，通過優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了小信號(hào)模型參數(shù)的提取。結(jié)果證明Rgs和τds的引入提高了S22參數(shù)擬合精度，使得模型擬合誤差從傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的0.294降低為0.266。
　　(2)基于EEHEMT模型對(duì)InP基HEMT器件進(jìn)行大信號(hào)模型的構(gòu)建。實(shí)現(xiàn)了InP基