微電子關鍵尺寸測試系統(tǒng)的優(yōu)化分析及圖像化顯示技術.pdf

1、由于半導體技術的高速騰飛,更深的技術節(jié)點在工藝過程,如各種材料和結構的氧化、摻雜、刻蝕、沉積等,以及關鍵尺寸(Critical Dimensions)的測量中得以不斷地發(fā)展和推進。但是由于推進更深的技術節(jié)點的難度加上新材料、新結構日益增加的復雜度,微電子測量分析技術也開始遭遇到極大的挑戰(zhàn)。關鍵尺寸的在線測量是IC制造鏈條中的關鍵環(huán)節(jié),因此更具實用性、更能滿足苛刻的工作需求的測量分析方法亟需研究應用。
　　光學關鍵尺寸(OCD)測量

2、分析系統(tǒng)相對于其他傳統(tǒng)的測量技術,如掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、掃描探針顯微鏡(SPM),有著更低測量成本、對測量環(huán)境有著更弱的限制條、并能夠實現在線、實時測量分析、不損壞被測樣品結構的優(yōu)勢,因此被廣泛研究和應用。關鍵尺寸測量(參數優(yōu)化)是光柵結構衍射的一個逆問題,為了解決這一問題,本文研究了各種非線性優(yōu)化分析方法,其中包括基于最小二乘法的最速下降法、牛頓法、高斯-牛頓法, Levenberg-Marquardt算

3、法(簡稱LM算法)等,最后基于LM算法實現了對均勻膜層/光柵結構的關鍵尺寸的優(yōu)化分析,反演計算出關鍵尺寸的實際大小。為了彌補該算法局部優(yōu)化的局限性,本課題還提到可以對待求參數實行建庫-搜索或者將LM算法與建庫-搜索法結合起來,反演計算或者搜索出關鍵尺寸參數,即實現全局優(yōu)化。
　　此外,本文引進了OpenGL(Open Graphics Library)開放圖形庫,運用OpenGL強大的函數庫,在MFC(Microsoft Foun