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文檔簡介
1、該論文重點(diǎn)是通過二維器件仿真來分析新結(jié)構(gòu)微波功率SiGe HBT的性能特點(diǎn),為器件的優(yōu)化提供充足的條件.仿真器件的結(jié)構(gòu)有兩種,主要的不同在于集電區(qū)的厚度(0.5μm和4.5μm),工作電壓分別為V<,CE>=4.5V和28V.仿真的結(jié)果表明,隨著集電結(jié)電容的減小,新結(jié)構(gòu)的微波功率SiGe HBT性能有顯著的提高,功率增益普遍提高2-3dB,最高振蕩頻率提高近10﹪-25﹪.新結(jié)構(gòu)提高了微波功率SiGe HBT的性能,但仿真結(jié)果發(fā)現(xiàn)對于集
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