摻鋁氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的制備與特性研究.pdf

1、摻鋁氧化鋅（AZO）具有原材料價格便宜、無毒、H等離子體環(huán)境中穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是一種極具發(fā)展?jié)摿Φ耐该鲗?dǎo)電薄膜材料，然而，目前AZO薄膜的綜合光電性能還未達(dá)到ITO的水平，如何降低AZO薄膜的電阻率仍然是AZO薄膜的一個重要的研究課題。
　　本文采用射頻磁控濺射方法制備了AZO透明導(dǎo)電薄膜，研究了襯底溫度對薄膜光電性能的影響，優(yōu)化了AZO薄膜制備的基本工藝參數(shù)，隨后對優(yōu)化出的AZO薄膜進(jìn)行了刻蝕絨面化處理以增強(qiáng)薄膜的光散射作用，提

2、高薄膜太陽能電池的效率。為了降低AZO薄膜的電阻率，本文采用在濺射氣氛中通入一定比例H2的方法對AZO薄膜進(jìn)行氫化處理，研究了襯底溫度與濺射氣氛中H2含量對氫化AZO薄膜性能的影響。最后將優(yōu)化出的未氫化AZO薄膜、刻蝕的AZO薄膜及氫化AZO薄膜放入PECVD設(shè)備中進(jìn)行了穩(wěn)定性測試。
　　結(jié)果表明：襯底溫度對氫化、未氫化 AZO薄膜的電學(xué)性能影響都較大，而對薄膜在可見光波段的平均透過率影響不大。使用0.5％稀鹽酸對 AZO薄膜進(jìn)行

3、刻蝕絨面化處理可以有效的增加薄膜的光散射效果，但刻蝕使得薄膜厚度變薄，薄膜的方阻增加。在低溫條件下，氫化處理能有效的降低 AZO薄膜的電阻率，在襯底溫度為100℃的低溫條件下，通過調(diào)節(jié)濺射氣氛中 H2的比例，制備出了方阻與電阻率分別為8.0Ω/□、6.0×10-4Ω·cm的高質(zhì)量氫化AZO薄膜，該電阻值是同等條件下未氫化 AZO薄膜電阻值的1/3不到，但隨著襯底溫度的升高，氫化處理對薄膜電學(xué)性能的改善效果逐漸減弱。未氫化AZO薄膜、刻蝕