SiGePMOSFET器件研究.pdf

1、采用的Si/SiGePMOSFET結(jié)構(gòu)增加溝道內(nèi)空穴的遷移率，從而提高跨導(dǎo)、減小PMOS管版圖面積，提高芯片的集成度、降低功耗.首先在一定近似條件下，建立了一個(gè)簡單的SiGePMOSFET的解析模型，并此基礎(chǔ)上，對器件的縱向結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論分析，得出氧化層和蓋帽層與開啟電壓Vr和跨導(dǎo)g<,m>的解析式，指導(dǎo)器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的設(shè)計(jì).基于以上的模型分析，按照SiGe溝道載流子最大化的原則，應(yīng)用MEDICI對SiGePMOSFET（L=2μm）器件

2、SiGe溝道厚度T<,ch>、摻雜濃度、Ge的組分及分布、蓋帽層和氧化層厚度（Tcap、Tox）等參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì).最后成功地試制出的SiGePMOSFET器件，測試出SiGePMOSFET器件跨導(dǎo)g<,m>=45mS/mm（300K），低溫下為92mS/mm(77K)，比300K時(shí)提高近一倍.相反SiPMOSTET器件，77K時(shí)跨導(dǎo)僅為39mS/mm，與300K時(shí)變化不大.測試SiGePMOSFET的開啟電壓為-1V（300K），低溫