基于吡唑啉酮固相材料分離識別釷(IV)的研究.pdf

1、表面印跡技術(Surface imprinting technique)以分子印跡技術為基礎,通過把識別位點建立在基質材料的表面,來提高識別位點與印跡分子的結合速度,進一步加強印跡材料吸附分離效率。表面印跡材料不但具有高選擇性,而且具有快速動力學,已被廣泛應用于痕量元素分離領域。釷是一種天然的放射性元素,具有廣泛的商業(yè)及工業(yè)用途,并且是一種潛在的核燃料。但由于其具有放射毒性而對人類環(huán)境構成威脅,因此,對環(huán)境中痕量釷的提取和監(jiān)測非常重要。

2、釷在地質和環(huán)境樣品中的含量很低,基體復雜,常規(guī)分析方法包括原子吸收光譜法、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法等都難以直接測定。為了提高分析方法的靈敏性和選擇性,測定前必須首先對釷(IV)離子進行分離和富集。而分子印跡固相萃取是一項專門針對復雜樣品中痕量物質進行分離富集的前處理技術。因此,本論文以建立表面印跡固相萃取分離痕量釷(IV)為目的,開展了以下幾方面的研究工作:
　　1.對分子印跡技術和離子印跡技術基本原理、表面印跡材料的發(fā)展以

3、及目前釷(IV)離子分離檢測的最新進展進行了較為全面的分析和概述。
　　2.以釷(IV)為模板離子,通過接枝共聚法在修飾硅膠表面制備了新型的離子印跡材料,通過掃描電鏡(SEM)和氮氣吸附(BET)對其外貌結構進行表征,并采用靜態(tài)法和動態(tài)法系統(tǒng)研究了印跡材料對Th(IV)的吸附行為和選擇性能。在最佳條件下,印跡吸附劑最大吸附容量為56.8 mg g-1,Th(IV)/La(III)、Th(IV)/Ce(III)和Th(IV)/U(V

4、I)的選擇因子分別為78.3,82.6和50.8。并將建立的方法應用于實際樣品和自然水樣中釷的富集測定,方法的相對標準偏差和檢測限分別為2.19％和0.54μg L-1。
　　3.以4-?；吝蜻?MPABAP)與4-乙烯基吡啶組成雙配體與釷(IV)結合形成的復合物為模板,在交聯(lián)劑(EGDMA)和引發(fā)劑(AIBN)作用下,制備了用于分離吸附 Th(IV)的表面印跡材料。實驗表明該印跡聚合物最大的靜態(tài)吸附釷(IV)的容量為59.2