某型MCU中掩膜ROM設(shè)計.pdf

1、隨著科學(xué)與經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，中國已經(jīng)成為世界消費(fèi)類電子產(chǎn)品的重要生產(chǎn)基地和消費(fèi)大國，市場對具有各種功能芯片的需求與日俱增，其中MCU芯片以其較高的性價比被廣泛應(yīng)用在眾多消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。市場的激烈競爭使得MCU芯片制造廠家們對于生產(chǎn)成本的控制十分嚴(yán)格。而ROM作為影響MCU芯片成本的關(guān)鍵因素，受到設(shè)計者們高度的重視。
　　 整個只讀存儲器(ROM)模塊是在總體設(shè)計方案確定之后，按照技術(shù)指標(biāo)對電路各個功能模塊進(jìn)行設(shè)計。在設(shè)計存儲陣列

2、的時候，提出了一種新的結(jié)構(gòu)：Flat-Cell存儲結(jié)構(gòu)，由于在Flat-Cell工藝中單元陣列全部設(shè)計在一個大的有源區(qū)上，是一種平面結(jié)構(gòu)，存儲單元之間是靠PN結(jié)進(jìn)行隔離，不存在場氧化層。所以不會因為場區(qū)熱氧化雜質(zhì)再分布而使溝道寬度減小，不會有鳥嘴現(xiàn)象發(fā)成，也不會產(chǎn)生窄溝道效應(yīng)，因此會使單元面積大為減小，集成度提高，性能可靠，同時也降低了制造成本。Flat-Cell技術(shù)的提出與應(yīng)用使得ROM的技術(shù)指標(biāo)得到了很大的提高?；贔lat-Cel