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1、集成電路產(chǎn)業(yè)一直向著集成度越來越高,關(guān)鍵尺寸越來越小的方向發(fā)展。將光刻部分的線寬做到更小的關(guān)鍵就是分辨率R值的降低,這會(huì)導(dǎo)致聚焦深度(DOF)減小,隨著DOF越來越小,就對(duì)現(xiàn)在的光刻工藝制程中焦距的穩(wěn)定性提出越來越高的要求,所以對(duì)光刻機(jī)臺(tái)焦距的監(jiān)測(cè)精度和穩(wěn)定度要求越來越高。本文實(shí)驗(yàn)并闡述了一種新型的光刻機(jī)臺(tái)焦距的監(jiān)測(cè)方法。傳統(tǒng)的監(jiān)測(cè)方法是通過焦距矩陣的方式曝光后用線寬測(cè)量機(jī)臺(tái)進(jìn)行測(cè)量找到最佳焦距。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過利用相移光掩膜(光掩膜
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