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文檔簡介
1、隨著半導體工藝(尤其CMOS工藝)特征尺寸的不斷減小,數(shù)字集成電路(IC,IntegratedCircuit)芯片的速度、規(guī)模和復雜度都在高速增長。然而傳統(tǒng)的電互連技術由于本身存在嚴重的介電損耗、趨膚效應以及信道與信道間的互擾問題等缺陷,已逐漸無法適應超高速芯片間通信的要求,成為提高計算機處理器性能的主要瓶頸。另一方面,光互連技術由于具有數(shù)據(jù)容量大、功耗低、延時小、保密度高和成本低等優(yōu)點,被認為是能夠解決大容量高速數(shù)據(jù)傳輸瓶頸最有效的技
2、術。
并行光互連系統(tǒng)接收機模擬前端電路是由跨阻放大器(TIA,Trans-impedanceAmplifier)和限幅放大器(LA,LimitingAmplifier)兩部分組成的,其作用是將光檢測器(PD,Photodetector)輸出的微弱電流信號轉換為一定幅度的電壓信號,以滿足后續(xù)時鐘與數(shù)據(jù)恢復電路的靈敏度要求。顯而易見,其性能對整個接收機有著至關重要的影響。此外,由于并行光通信系統(tǒng)這一特殊應用場景的需求,要求模擬前端
3、電路除具有傳統(tǒng)的高靈敏度、高增益、高速率、寬動態(tài)范圍等特性外,還需具有低功耗和低成本(包括面積小和工藝成本低)等特性。因此相比傳統(tǒng)的光纖通信接收機前端電路設計,任何性能優(yōu)化都有嚴格的功耗及成本約束,難度大大增加。論文正是基于此約束,研究低功耗低成本情況下高性能并行光互連系統(tǒng)接收機模擬前端電路的設計和優(yōu)化。主要的研究內容和創(chuàng)新之處如下:
(一)采用標準的0.18μmCMOS工藝,設計了一種可用于12×10Gb/s并行光互連接收機
4、的低功耗、低面積前置放大器。此放大器采用新穎的前饋共柵(FCG,F(xiàn)eed-forwardCommonGate)結構,克服了在此速率上大量采用的RGC(RegulatedCascode)結構固有的電壓裕度消耗大的缺點,實現(xiàn)了有限工藝特征頻率(fT)及電源電壓情況下高帶寬、高增益、低噪聲前置放大電路的設計。同時,共軛極點帶寬拓展技術的采用,避免了傳統(tǒng)的電感峰化技術消耗過多芯片面積的問題,從而實現(xiàn)了0.18μmCMOS工藝上質量因數(shù)(FOM,
5、FigureofMerit)國際領先的低功耗、低面積、高增益帶寬積(GBW,Gain-BandwidthProduct)前置放大電路。此電路在1.8-V電源電壓下功耗僅為8mW,核心芯片面積為75μm×80μm,前置放大器跨阻增益、3-dB帶寬及等效輸入噪聲電流密度分別為52dBΩ、8.4GHz及27pA/√Hz。性能指標優(yōu)于此工藝上的其他前置放大器電路設計,已達到國際先進水平。
(二)采用標準的0.18μmCMOS工藝,設計
6、了一種可用于12×10Gb/s并行光互連接收機的功率可控的高性能前置放大器。本設計基于上述FCG結構,除了達到低功耗、低成本情況下的高增益帶寬積和低噪聲等優(yōu)越性能以外,進一步挖掘了FCG結構“低電壓裕度消耗”這一優(yōu)勢,加入具有獨創(chuàng)性的基于可變電源電壓原理的功率控制模塊,以減小工藝和溫度偏差對電路性能和功耗的影響,在滿足系統(tǒng)性能要求的前提下,進一步回收無用功耗,從而解決多路并行系統(tǒng)功耗較大及散熱困難的難題。對兩個具有代表性的(分別為較差和
7、較好工藝角和溫度情況下工作的)電路芯片進行測試,在不采用和采用功率控制的情況下,功耗分別為6.26/6.35mW,其中采用功率控制的芯片比沒有進行功率時節(jié)約功耗約52%。前置放大器跨阻增益及3-dB帶寬分別為53.9/52.1dBΩ、6.8/8.1GHz。電路核心芯片面積為80μm×80μm。輸入等效噪聲電流密度28pA/√Hz。同時此方案可作為電源門控電路,在系統(tǒng)休眠時降低不必要的電路功耗,延長系統(tǒng)壽命。
(三)采用標準的0
8、.18μmCMOS工藝,設計了一種高性能、低抖動的10Gb/s光接收機無電感限幅放大器。該放大器采用帶有級間反饋的四級級聯(lián)三階響應放大器,指出了傳統(tǒng)的有源級間反饋單元固有的大信號抖動性能差這一現(xiàn)象及其根源,并在此基礎上提出了具有獨創(chuàng)性的級間有源反饋結構,在達到良好的小信號頻率響應平坦度的同時,大大降低了大信號輸入時輸出信號的抖動。電路同時采用了直流偏移消除電路來降低由于失配產(chǎn)生的直流偏移,并采用fT倍增器作為輸出緩沖放大器提高輸出驅動能
9、力。此電路核心芯片面積為100μm×750μm。測試結果顯示,在1.8-V電源電壓下限幅放大器功耗為78mW,電壓增益和3-dB帶寬及分別為47dB和7.15GHz,由于級間增益級對重疊極點的分散效應,電路的增益波動在全頻帶內不超過2dB。輸入電壓靈敏度為2.5mVpp。輸入速率為10Gb/s,幅度為2.5及100mVpp的231-1偽隨機序列時,測得的輸出抖動僅為0.2UI和0.15UI。結果顯示,本設計完全滿足高速并行光互連系統(tǒng)限幅
10、放大器指標要求;與其他設計相比,本設計在很低的功耗和面積消耗下,達到了非常高的增益帶寬積,F(xiàn)OM在現(xiàn)有工藝上有相當?shù)母偁幜?,同時解決了類似結構中大信號抖動較大的問題,因此可認為是目前用于高速并行光互連系統(tǒng)的最佳解決方案之一。
(四)采用標準的0.18μmCMOS工藝,設計了一種基于單級直流電流降低原理的可用于12×10Gb/s并行光互連接收機的高性能、低功耗10Gb/s光接收機無電感限幅放大器。電路基于四級級聯(lián)三階響應單元限幅
11、放大結構,通過降低每級差分放大器的晶體管尺寸來降低直流電流,并通過逐級增大驅動能力的辦法彌補電路內部驅動力不足、難以驅動測試儀器內阻這一難題,同時調整了反饋方案,以兼顧增益平坦度、大信號性能及失配程度等多項指標。電路采用共質心版圖技術以進一步提高匹配度。由于沒有采用峰化元件,電路的核心面積僅為250μm×200μm。在1.8V直流電源供電情況下,測試得到限幅放大器芯片核心電路消耗功耗為35mW。電路的電壓增益為40.8dB,高頻3dB帶
12、寬為7.4GHz,由于對反饋級的尖峰控制和不同反饋級的極點分離效應,電路的增益波動在全頻帶內不超過2.2dB,達到了令人滿意的電壓增益、帶寬和平坦度。本設計在很低的功耗和面積消耗下,達到非常高的增益帶寬積,F(xiàn)OM在現(xiàn)有工藝上有相當?shù)母偁幜Α?br> (五)采用標準的0.18μmCMOS工藝,設計了一種可用于12×10Gb/s并行光互連接收機的高性能、低功耗、功率可控的10Gb/s光接收機無電感限幅放大器。此電路基于對超高速并行光通信系
13、統(tǒng)這一低成本應用進行較為精確的成本控制這一出發(fā)點,提出了一種新的功率可控的高良率限幅放大器設計。此設計的基本思想是:在不降低最差PVT情況下的直流功耗的前提下(即不降低晶體管尺寸),對限幅放大器電源電壓進行控制,以回收PVT較好情況時的無用功耗,這樣可以在保證電路性能的同時,提高良率,穩(wěn)定PVT變化情況下電路的各項指標。此電路核心芯片面積為150μm×750μm。對兩個具有代表性的(分別為較差和較好工藝角和溫度情況下工作的)電路芯片進行
14、測試,在不采用和采用功率控制的情況下,功耗分別為71/72mW,其中采用功率控制的芯片比沒有進行功率控制時節(jié)約功耗約64%。限幅放大器電壓增益及3dB帶寬分別為47/50dB和6.8/7.1GHz。同時此方案可作為電源門控電路,在系統(tǒng)休眠時降低不必要的電路功耗,延長系統(tǒng)壽命。
(六)采用標準的0.18μmCMOS工藝,設計了一種可用于12×10Gb/s功率可控的并行光互連接收機前端放大電路。該模擬前端通過將上述功率可控的前置放
15、大器與限幅放大器單片集成,并加入具有獨創(chuàng)性的功率控制模塊和電源管理模塊得到。電路通過控制位控制電源管理模塊中的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO,LowDropoutRegulator),產(chǎn)生可調的電源電壓。電源管理模塊同時提供前端電路差分放大器所需的PTAT偏置電流。該電路具有工作速度高、輸入動態(tài)范圍大、靈敏度高、輸出幅度大、抖動小、功耗小及可控、芯片面積小、成本低等優(yōu)點。同時將12路模擬前端并行形成光接收前端放大器陣列。采用三阱隔離結構減小并
16、行高速高增益前端放大電路通道間的信號串擾以及襯底噪聲耦合。芯片后仿真結果表明:前端放大電路在各PVT情況下跨阻增益均大于84dBΩ;高頻截止頻率在7GHz以上;等效輸入噪聲電流功率譜密度小于37pA/√Hz:輸出眼圖抖動在0.1UI以下;單通道電路寬度小于250μm,單通道核心面積為200μm×800μm。以上指標皆滿足12×10Gb/s超高速并行光通信系統(tǒng)接收機模擬前端的指標要求。此外,由于功率控制功能的存在,PVT情況較好時可適當降
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