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1、該文以C<,2>H<,2>和CHF<,3>為源氣體在微波ECR-CVD系統(tǒng)中沉積了a-C:F薄膜,并在500℃真空氣氛下進(jìn)行了熱處理.重點(diǎn)研究了沉積溫度對薄膜性質(zhì)的影響.分析了薄膜的化學(xué)鍵和結(jié)合態(tài)隨沉積溫度的變化情況,測量了薄膜的透光譜,進(jìn)而計(jì)算了光學(xué)帶隙,考察了沉積溫度對薄膜介電性質(zhì)的影響.結(jié)果表明,提高沉積溫度有助于薄膜的熱穩(wěn)定性.薄膜主要是由CFx鏈狀及不飽和C=C鍵組成;CFx基團(tuán)的濃度在高溫下減小;CFx吸收鋒的峰位在較高溫度
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