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1、本文通過共濺射技術(shù)生長Ge摻雜ZnO薄膜，并分別研究了基片溫度與氧偏壓對Ge摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)、成分和性能的影響。 一、使用共濺射法沉積Ge摻雜的ZnO薄膜，研究了基片溫度對薄膜的結(jié)構(gòu)與成分、表面形貌以及光致發(fā)光性能的影響。實驗結(jié)果表明，薄膜中存在Zn2GeO4與GeO2。隨著基片溫度的升高，薄膜中Zn2EGeO4的低能晶面優(yōu)先生長，晶粒尺寸增大且薄膜表面趨于平整。當基片溫度在500℃-600℃范圍內(nèi)，有利于GeO2結(jié)晶相的形
2、成。薄膜的光致發(fā)光譜中，綠光帶存在中心波長為530nm的發(fā)光峰，應(yīng)該歸因于所形成的主體材料Zn2GeO4中取代Zn2+位的Ge2+發(fā)光中心。 二、使用共濺射法沉積Ge摻雜的ZnO薄膜，研究了氧偏壓對空間等離子分布、薄膜的結(jié)構(gòu)與成分以及光致發(fā)光性能的影響。實驗結(jié)果表明，薄膜中存在ZnO與Zn2GeO4。隨著氧偏壓的增加，空間氧原子的密度明顯增大，薄膜中ZnO的結(jié)晶得到明顯改善。薄膜的光致發(fā)光譜中，由于Zn2GeO4晶粒的形成及其與
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