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1、 本文對(duì) L-MBE法制備ZnO薄膜及ZnO-TFT器件進(jìn)行研究,主要內(nèi)容如下: 1、采用激光分子束外延方法在藍(lán)寶石(AL2O3)、SiO2/Si、SiNx/Si等襯底上制備了高質(zhì)量的ZnO薄膜,優(yōu)化了制備工藝,主要研究了后退火處理對(duì)薄膜結(jié)晶質(zhì)量、表面形貌、發(fā)光特性、透過(guò)率、光學(xué)帶隙、電阻率等方面的影響。 2、根據(jù)目前ZnO-TFT的研究現(xiàn)狀和我們實(shí)驗(yàn)室的條件,設(shè)計(jì)了一種結(jié)構(gòu)合理的ZnO-TFT,既先在p型Si(111)襯底上生
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