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文檔簡介
1、本文采用磁過濾陰極脈沖真空弧沉積法(PFCVAD)制備出了具有c軸擇優(yōu)取向、高平整度的ZnO薄膜，研究了PFCVAD的工藝參數(shù)靶負壓、襯底溫度、氧氣壓力、退火溫度對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和c軸方向應變的影響。主要研究工作和結(jié)論如下： 1、采用PFCVAD法，在襯底溫度300℃、氧氣壓力4.0×10-2Pa，不同靶負壓(200V～800V)條件下制備出了ZnO薄膜，所有薄膜具有高的c軸取向性和平整的表面結(jié)構(gòu)，隨著靶負壓的增加，
2、粗糙度略有上升，c軸方向張應力減小。發(fā)現(xiàn)靶負壓在400V左右，ZnO薄膜c軸取向性最強。 2、當襯底溫度在170℃～500℃范圍內(nèi)，靶負壓為400V，氧氣壓力為4.0×10-2Pa時，ZnO薄膜均具有高的c軸取向性和平整的表面結(jié)構(gòu)，隨著襯底溫度的增加，粗糙度下降，c軸方向張應力減小。發(fā)現(xiàn)襯底溫度在400℃左右時，ZnO薄膜c軸取向性最強。 3、當氧氣壓力在1.0×10-2 Pa～8.0×10-2 Pa時，ZnO薄膜均具有
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