2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件和電路的特征尺寸持續(xù)縮小，硅片面積和集成度不斷增加，工作性能也得到很大提高。
　　 在集成電路器件薄膜柵極的制造過(guò)程中經(jīng)過(guò)前期的等離子體刻蝕預(yù)清洗，去除生長(zhǎng)在介質(zhì)層上的氧化薄層，生長(zhǎng)難熔金屬鈷薄膜，再經(jīng)過(guò)兩次的后續(xù)熱退火處理之后，形成能夠達(dá)到低的柵極電阻要求的金屬硅化物，并且在熱穩(wěn)定性上將達(dá)到能夠兼容后續(xù)工藝的要求，同時(shí)在雜質(zhì)的消除上將有很大改善，這樣處理將對(duì)提高良率，以及電阻參數(shù)有很大

2、幫助。
　　 本論文中闡述了集成電路中薄膜的定義，從金屬鈷和鈦硅化物在0.35微米以下其晶粒的尺寸特征，比較說(shuō)明了金屬鈷硅化物優(yōu)于鈦的性能，以及兩種金屬在硅中的擴(kuò)散方式，在不同器件特征尺寸下的電阻特性和熱穩(wěn)定性。
　　 采用磁控濺射技術(shù)在超高真空環(huán)境下生長(zhǎng)一層厚度為100埃的鈷薄層，用氬氣作為等離子體的環(huán)境。為了防止鈷的氧化，在其上覆蓋一層厚度為200埃的氮化鈦薄層。并運(yùn)用薄膜濺射理論解釋了鈷的制備過(guò)程，為了使硅化物電阻

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