氧化鋁和銅界面摻雜及對(duì)彌散強(qiáng)化銅性能的影響.pdf

1、本文進(jìn)行了彌散強(qiáng)化銅復(fù)合材料的制備與性能研究。目的在于研究不同成分的彌散強(qiáng)化銅材料，制備新一代彌散強(qiáng)化銅復(fù)合材料。
　　首先在不同的成分配比下采用高能球磨的方式制備彌散強(qiáng)化銅合金粉體，對(duì)不同成分的彌散強(qiáng)化銅粉體進(jìn)行了不同含量的Ag摻雜，分析不同成分下材料的力學(xué)與電學(xué)性能，并與傳統(tǒng)的彌散強(qiáng)化銅產(chǎn)品進(jìn)行對(duì)比；其研究方法為：通過(guò)高能球磨制備彌散強(qiáng)化銅粉體，之后進(jìn)行粉體還原、壓制燒結(jié)、熱擠壓致密化，最后進(jìn)行樣品力學(xué)與電學(xué)性能的檢測(cè)分析。<

2、br>　　其次，運(yùn)用磁控濺射方法分析界面偏聚對(duì)彌散強(qiáng)化銅導(dǎo)電性能的影響，通過(guò)在導(dǎo)電玻璃上沉積不同厚度的銅和氧化鋁薄膜。沉積時(shí)通過(guò)掩模板的作用使氧化鋁均與的分散在銅薄膜的表面，并同時(shí)在銅和氧化鋁薄膜之間鍍銀，控制他們的厚度，測(cè)試其對(duì)薄膜性能的影響。
　　本論文得出了以下結(jié)論：
　　(1)氧化鋁顆粒隨著彌散強(qiáng)化銅制備工藝的進(jìn)行，在還原和燒結(jié)的過(guò)程中，固溶進(jìn)銅基體的氧化鋁會(huì)產(chǎn)生析出的現(xiàn)象，隨著溫度的升高，氧化鋁的顆粒出現(xiàn)長(zhǎng)大；

3、r>　　(2)銀摻雜對(duì)析出氧化鋁的長(zhǎng)大有抑制作用；
　　(3)銅在濺射功率為140W時(shí)，時(shí)間小于5分鐘時(shí)，其沉積率為3.62nm/s；當(dāng)沉積時(shí)間大于5min時(shí)，其沉積率為1.054nm/s；
　　(4)銅的磁控濺射在功率為140W時(shí)，其薄膜的性能最好；
　　(5)在沒(méi)有摻雜銀的Cu-Al2O3-Cu模型中，薄膜的電導(dǎo)率隨氧化鋁摻雜量的減少而增加，但是增加到一定的程度后，不再隨著氧化鋁的減少而增加；
　　(6)在掩