控濺射法低溫制備ITO透明導(dǎo)電薄膜工藝研究.pdf

1、氧化銦錫（ITO）是一種寬禁帶、高摻雜的n型半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用于各種顯示屏幕的透明電極中。大多數(shù)研究者都關(guān)注于在200～400℃的基底溫度下制備多晶ITO薄膜，研究其工藝，優(yōu)化其光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。然而，針對(duì)便攜式顯示屏的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，由于基材不耐高溫，只能在低溫下沉積ITO薄膜，所以本文分別采用射頻和直流磁控濺射方法，使用高純度（99.99％）的ITO陶瓷靶（wt.90％In2O3+wt.10％SnO2）靶材,在普通載玻片和有機(jī)材料聚對(duì)苯二甲酸

2、乙二醇酯（polyethylene terephthalate, PET）上制備了ITO透明導(dǎo)電薄膜。
　　 本文針對(duì)低溫下沉積ITO薄膜的工藝條件進(jìn)行了摸索。利用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)、四探針、X射線衍射儀對(duì)薄膜性能進(jìn)行了表征。
　　 1、用射頻濺射方法在普通玻璃基片上制備ITO薄膜，詳細(xì)討論了不同工藝條件對(duì)薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能的影響。通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到最優(yōu)工藝條件為基片溫度110℃，氧流量0.06sccm，濺射功率60W,工作

3、氣壓0.2Pa，靶基距為50mm。最優(yōu)條件下透過(guò)率為80.27％，面電阻為35Ω/□。
　　 2、選擇上述實(shí)驗(yàn)中得到的低溫下制備ITO薄膜的最優(yōu)工藝條件，用射頻磁控濺射方法在PET有機(jī)基底上鍍制ITO薄膜。方阻36Ω/□和平均透過(guò)率77.83％。
　　 3、采用直流磁控濺射方法與射頻磁控濺射方法在低溫下制備了ITO薄膜，并進(jìn)行了對(duì)比研究，結(jié)果表明：所制備的ITO薄膜，無(wú)論是條件控制難易程度上還是所得薄膜的光電性能，射頻磁