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文檔簡介
1、寬禁帶氧化物半導體材料是目前半導體材料領域的研究熱點之一,基于錫和銻的合金氧化物由于具有優(yōu)良的光電性能,引起了人們廣泛的關注.但是,目前系統(tǒng)地研究錫和銻的合金氧化物以及摻雜行為的研究很少. 本論文綜合介紹了半導體材料的摻雜機理,p型和n型透明導電氧化物(TCO)薄膜的研究進展,以及氧化銻和氧化錫的結構特征.以Sb-Sn二元體系錫銻相互摻雜獲得錫銻氧化物薄膜為研究內(nèi)容,利用直流反應磁控濺射法,成功制備了性能良好的n型和p型透明導電
2、錫銻氧化物薄膜,系統(tǒng)地研究了摻雜比、氧氣分壓比、熱處理溫度等工藝參數(shù)對薄膜性能的影響.利用高分辨X射線衍射儀(XRD)、紫外可見分光光度計(UV-Vis)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM),霍爾(Hall)測試等測試手段對各個工藝參數(shù)下制備的薄膜進行表征和分析。 研究結果表明: (1)隨氧氣流量的增加,Sb<,2>O<,4>:Sn薄膜的導電類型由n型轉(zhuǎn)變p型,當Sn/Sb比在10%~20%時,制得良好的p型透明導電Sb<,2
3、>O<,4>:Sn薄膜,隨熱處理溫度的升高,薄膜的結晶性能和電學性能得到提高,薄膜的空穴濃度最高達5.64×10<'19>cm<'-3>,電阻率最小為0.18Ω·cm; (2)當氧分壓比為0~9%時,成功制得n型SnO<,2>:Sb薄膜,電阻率最小為5.1×10<'-3>Ω cm,電子濃度最大為4.63×10<'20>cm<'-3>, SnO<,2>:Sb薄膜的導電類型隨氧氣流量的繼續(xù)增加發(fā)生n型向p型的轉(zhuǎn)變,這是由于薄膜中Sb
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