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1、目前,由于集成電路發(fā)展迅速,芯片可靠性地位越來越重要,封裝熱變形測(cè)試已成為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),因此深入研究IC芯片封裝的熱變形測(cè)試系統(tǒng)對(duì)集成電路的穩(wěn)定及其安全使用具有重大的意義。本文對(duì)芯片封裝熱變形的測(cè)量以激光測(cè)量法為主,具有非接觸、納米量級(jí)的靈敏度、全場(chǎng)分析測(cè)量等優(yōu)點(diǎn)。
首先,針對(duì)現(xiàn)有測(cè)試系統(tǒng)的不足,設(shè)計(jì)并搭建了一套完整的測(cè)試系統(tǒng),主要包括恒溫控制系統(tǒng)、溫度檢測(cè)系統(tǒng)、光學(xué)測(cè)試平臺(tái)及其圖像處理。本系統(tǒng)中溫度控制是系
2、統(tǒng)的重點(diǎn),文中采用固態(tài)繼電器和自整定PID算法來進(jìn)行溫度的恒定,使用固態(tài)繼電器控制發(fā)熱絲的通斷,PID算法進(jìn)行溫差控制,使溫差能夠趨近于零;根據(jù)實(shí)驗(yàn)對(duì)采集到的溫度精度要求,選用了AD590進(jìn)行溫度檢測(cè),并對(duì)其參數(shù)進(jìn)行了分析;其次,利用ESPI軟件采集散斑圖,由于采集到的散斑圖像有許多噪聲,所以利用圖像增強(qiáng)、中值濾波和二值化方法進(jìn)行圖像處理。
本文采用以離面位移作為失效敏感參數(shù)的壽命預(yù)測(cè)模型,最后根據(jù)該模型對(duì)實(shí)驗(yàn)器件進(jìn)行壽命預(yù)測(cè)
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