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文檔簡介
1、該文采用化學(xué)氣相沉積法,以TEOS與O<,3>為前驅(qū)物,低溫下在單晶硅片表面上沉積了二氧化硅膜層.通過分析不同溫度、不同硅酸乙酯流量、不同O<,3>與TEOS的比率,研究了沉積膜層的試驗條件對成膜質(zhì)量的影響,并找到了較好的成膜條件;并對膜層的致密性能進行了檢測.結(jié)果顯示:常壓下,隨著反應(yīng)室溫度升高,沉積速率先升高到最大值然后下降,腐蝕速率則呈現(xiàn)下降,并且下降趨勢逐漸緩慢.基片表面膜層致密性能逐漸提高.在反應(yīng)室溫度為大約400℃時,沉積的
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