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文檔簡介
1、TiB2-BN(TB)復(fù)相陶瓷具有導(dǎo)電性、抗熱沖擊性能、可機械加工性能、耐腐蝕性能等優(yōu)點,在高溫結(jié)構(gòu)陶瓷、導(dǎo)電蒸發(fā)舟和高溫電極材料中得到了廣泛應(yīng)用。但是如何進一步優(yōu)化TB復(fù)合陶瓷的綜合性能是當(dāng)前研發(fā)的重點。本文采用不同粉末特性的TiB2和BN原料,通過熱壓燒結(jié)制備TB復(fù)相陶瓷,研究了原料粉末特性對材料致密化過程、顯微結(jié)構(gòu)和性能的影響;在此基礎(chǔ)上通過熱壓燒結(jié)制備TiB2-BN-SiC(TBS)復(fù)相陶瓷,研究了物相組成和燒結(jié)工藝對材料顯微結(jié)
2、構(gòu)和性能的影響。
采用熱壓方法制備TB復(fù)相陶瓷,TiB2和BN原料特性對樣品致密化過程、微觀結(jié)構(gòu)和性能有顯著影響。研究表明:
(1)TiB2粉末的粒徑和晶粒形貌對TB復(fù)相陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能有重要影響。TiB2粉末的平均粒徑越小,樣品導(dǎo)電性能越好。在粉末粒徑分布相近時,晶粒表面光滑的TiB2粉末能提高坯體在燒結(jié)中后期的致密化速率,樣品的致密度、力學(xué)性能和熱導(dǎo)率最高;在1850℃燒結(jié)1.5 h后,其所制備的樣品的開
3、氣孔率為11.95%、抗彎強度為95.28 MPa、彈性模量為47.16 GPa、熱導(dǎo)率(637 K)為33.8W/m.K,均優(yōu)于相同工藝條件下短六方柱狀的TiB2粉末所制備的復(fù)相陶瓷的性能。材料的顯微結(jié)構(gòu)分析表明,平均粒徑小的TiB2晶粒在樣品中分布更均勻,有利于導(dǎo)電通路形成,提高導(dǎo)電性能,平均粒徑大的晶粒容易呈現(xiàn)孤島狀;短六方柱狀的TiB2晶粒,容易局部聚集和架空,形成孔隙,致密度低,降低樣品力學(xué)性能和熱學(xué)導(dǎo)率。
(2
4、)BN粉末的比表面積和氧雜質(zhì)含量對TB復(fù)相陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能有重要影響。在氧含量相近時,BN粉末比表面積越大,TB坯體致密化速率越快,致密度和力學(xué)性能越高。材料顯微結(jié)構(gòu)分析表明,高比表面積的片狀BN粉末,燒結(jié)活性高,容易在垂直于加壓方向形成大的片層狀結(jié)構(gòu);在1850℃燒結(jié)1.5 h后,樣品彎強度、彈性模量和熱導(dǎo)率(637 K)分別為219.71 MPa、105.36 GPa、13.8W/m.K、熱膨脹系數(shù)(298-1373 K)為3.84
5、×10-6/K。
氧含量為4.92wt.%的絮狀BN粉末能顯著提高坯體致密速率,降低燒結(jié)溫度,提高熱導(dǎo)率。在相同工藝條件下,所制備的樣品致密度最高,開氣孔率僅僅為1.16%。材料顯微結(jié)構(gòu)分析表明,BN粉末由絮狀生長成大的片狀結(jié)構(gòu),均勻分布在TiB2晶粒周圍,氧雜質(zhì)存在于TiB2和BN晶界之間。
通過熱壓方法制備了TBS復(fù)相陶瓷,研究了TiB2、BN和SiC的物相組成和燒結(jié)工藝對材料顯微結(jié)構(gòu)和性能的影響。研究表
6、明:
(1)隨著BN體積含量的增加,TBS樣品的力學(xué)、導(dǎo)電性能和熱學(xué)性均下降。當(dāng)TiB2與SiC體積比6:1,BN體積分數(shù)為72-75%時,電阻率發(fā)生突變,材料由導(dǎo)體向半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變,這是由于TB體系中導(dǎo)電相和絕緣性發(fā)生了滲流轉(zhuǎn)變;而SiC含量對樣品的致密度和力學(xué)性能沒有顯著影響,但樣品導(dǎo)電性、熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù),隨SiC的增加而下降;
(2)隨著燒結(jié)溫度的提高和燒結(jié)時間的延長,TBS復(fù)相陶瓷的致密度、熱導(dǎo)率和熱
7、膨脹系數(shù)變大,但導(dǎo)電性能和力學(xué)性能先增大后減小。顯微結(jié)構(gòu)分析表明:過高的燒結(jié)溫度和過長的燒結(jié)時間會使得晶粒異常長大,BN晶粒長大成大片狀結(jié)構(gòu),會增加導(dǎo)電勢壘。同時,TiB2和SiC晶粒變大使得晶界比例減小,初始裂紋尺寸變短,斷裂的臨界應(yīng)力降低。當(dāng)TiB2與SiC體積比為6:1,BN體積分數(shù)為72%時,TBS樣品在1750℃燒結(jié)溫度,60 min燒結(jié)時間時,樣品導(dǎo)電性能和力學(xué)性能最好,電阻率、彈性模量和抗彎強度分別為24μΩ·cm、235
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