NEA GaN光電陰極制備以及激活方法研究.pdf

1、一直以來，GaN基半導(dǎo)體材料生長技術(shù)的不完善，極大制約了基于NEA GaN光電陰極的發(fā)展，然而隨著近年來材料生長技術(shù)的突破，對(duì)NEA GaN光電陰極的研究成為了當(dāng)前的熱點(diǎn)。NEA GaN光電陰極具有量子效率高、暗發(fā)射小、發(fā)射電子能量分布集中等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于包括紫外通信、激光探測(cè)、災(zāi)害預(yù)報(bào)、高壓放電檢測(cè)、紫外告警等諸多領(lǐng)域。
　　 本文圍繞GaN光電陰極的制備、激活和性能評(píng)價(jià)開展研究工作。首先，介紹了NEA GaN光電陰極材料

2、的產(chǎn)生和發(fā)展，闡述了其性能特點(diǎn)以及其國內(nèi)外的最新研究進(jìn)展和典型應(yīng)用；其次，詳細(xì)論述了NEA GaN光電陰極的材料制備與激活方法，主要包括材料的生長、原子級(jí)清潔表面的獲得和Cs/O激活過程的分析。并成功構(gòu)建了NEA GaN光電陰極的多信息量測(cè)試與評(píng)估系統(tǒng)。該系統(tǒng)由光柵單色儀、紫外光纖、微弱信號(hào)處理模塊、程控電源、工程計(jì)算機(jī)和多信息量測(cè)試與評(píng)估系統(tǒng)軟件組成，可以用于激活和評(píng)估NEA GaN光電陰極。最后，采用MOCVD生長技術(shù)生長了兩種p型