ZnO-GaN異質結LED的制備及光電性質研究.pdf

1、ZnO是一種多功能的直接帶隙寬禁帶(3.37eV)半導體材料，其激子束縛能為60meV，因而在室溫下具有高效的激子發(fā)射。在發(fā)光二極管、半導體激光器以及太陽能電池等領域，ZnO具有廣闊的應用前景。本論文針對ZnO納米材料在發(fā)光二極管中的應用展開了一系列研究工作，獲得了如下研究結果:
　　利用氧化石墨可成膜的特性設計出了一種全新的方法用于ZnO/GaN異質結結頂電極的制備:將氧化石墨溶液旋涂到陣列頂端，隨后成膜的氧化石墨有效地遮蓋了納

2、米棒間的空隙，為結頂電極薄膜的沉積起到支撐作用;再采用脈沖激光沉積法生長結頂電極ZnO∶Ga導電薄膜;最后氧化石墨經高溫退火處理被去除掉，從而實現(xiàn)ZnO∶Ga薄膜與陣列直接接觸，即獲得了器件的結頂電極。研究結果表明此方法有效地克服了傳統(tǒng)方法的不足。
　　成功研制出n-ZnO/p-GaN異質結發(fā)光二極管，并研究了該器件的電致發(fā)光特性。與傳統(tǒng)發(fā)光二極管只在正向偏壓下實現(xiàn)電致發(fā)光不同，該器件在正、反向偏壓下都實現(xiàn)了電致發(fā)光。在正向偏壓下