銻摻雜p型ZnO納米陣列-n型GaN薄膜異質(zhì)結(jié)暖白光LED研究.pdf

1、一種基于來自n型半導(dǎo)體材料的電子與來自p型半導(dǎo)體材料的空穴在界面實(shí)現(xiàn)全界面的復(fù)合，實(shí)現(xiàn)對能帶的有效調(diào)節(jié)，使得ZnO本征的紫外發(fā)光峰向紫外可調(diào)的白光發(fā)光峰偏移，制成白光發(fā)光二極管。該白光發(fā)光二極管通過化學(xué)氣相沉積法并同步退火一步實(shí)現(xiàn)硅（Si）摻雜n型GaN薄膜上生長銻（Sb）摻雜p型ZnO陣列，制成異質(zhì)結(jié)作為發(fā)光層。在工作電壓為8-15.5 V時(shí)，LED器件發(fā)出的白光的色坐標(biāo)為（0.418，0.429）。元素分析測試表明Sb摻雜含量為1-

2、2％。4.65K的低溫光致發(fā)光譜表明Sb摻雜形成了深摻雜能級與穩(wěn)定的受主能級。結(jié)合IV曲線測試，分析表明Sb摻雜ZnO陣列為p型半導(dǎo)體。室溫條件下，ZnO的本征紫外發(fā)光譜在電壓4-15.5V時(shí)受到抑制。
　　該論文的研究具有較大的先創(chuàng)性，對于科學(xué)研究與商業(yè)開發(fā)提供了重要信息，我們簡要給出以下三點(diǎn)創(chuàng)新點(diǎn)：
　　1.一種基于來自n型半導(dǎo)體材料的電子與來自p型材料的空穴在界面實(shí)現(xiàn)全界面的復(fù)合，實(shí)現(xiàn)對能帶的有效調(diào)節(jié)，使得n型、p型半